[StudyDiary19] 반도체 기초ㅣ반도체 공정_금속 배선 공정 (Metallization)_Sillicide(실리사이드), Al vs Cu, CMP 공정


[StudyDiary19] 반도체 기초ㅣ반도체 공정_금속 배선 공정 (Metallization)_Sillicide(실리사이드), Al vs Cu, CMP 공정

20.03.10~20.03.12선이에요:)금속 배선 공정 (Metallization)반도체 제품 속 소자들을 동작시키기 위해서는 외부에서 에너지원인 전기적 신호를 가해 주어야 합니다소자들을 동작시키고 각각의 신호가 섞이지 않고 소자 간에 전기적으로 잘 연결해 주는 과정이 필요합니다전기가 잘 통하는 금속의 성질을 이용하여 반도체의 회로 패턴을 따라 금속선(Metal line)을 이어주는 과정을 금속 배선 공정(Metal Interconnect, Metallization, BEOL : back end of line)이라 합니다이러한 금속 배선 공정도 증착을 통해 이루어지는데, 이을 형성하는 방법에는 크게 PVD, CVD, ALD 방식이 있어요균일한 박막을 형성하기 위해 PVD 방식보다는.......


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